CryoSAS 是一款低溫硅材料分析儀,可用于太陽(yáng) 能和電子硅行業(yè)的超高靈敏度質(zhì)量控制。它可以同時(shí)定量分析碳、氧以及淺層雜質(zhì)(如硼、磷、砷等)。
根據ASTM/SEMI標 準,CryoSAS操作簡(jiǎn)便,無(wú)需液氦等制冷劑。相比于傳統的濕 化學(xué)分析法,CryoSAS更為快速、靈敏,并且對樣品沒(méi)有任何 損害。
·對單晶硅中所含的第三、五族雜質(zhì)(硼、磷、砷、鋁、鎵、銻) 的定量分析,檢出限達ppta量級。
·多晶或單晶硅中代位碳的定量分析,檢出限達ppba量級。
·多晶或單晶硅中間隙氧的定量分析,檢出限達ppba量級。
·全自動(dòng)檢測流程,自動(dòng)分析數據、自動(dòng)生成檢測報告。
根據ASTM/SEMI MF1389標準,低溫近紅外光致發(fā)光(PL)實(shí)驗可以用于單晶硅中淺層雜質(zhì)(如硼、磷等)的定量分析。
我們將高靈敏度VERTEX 80 傅立葉變換光譜儀和專(zhuān)為硅材料低溫光致發(fā)光實(shí)驗 設計的低溫恒溫器相結合,實(shí)現了低檢出限小于1ppta的超高檢出水平。
根據 ASTM/SEMI MF1389標準,定量分析單晶硅中的硼、磷和鋁含量。 用CVD方法制備的TCS(三氯硅烷)硅外延層也可進(jìn)行PL實(shí)驗,以實(shí)現TCS的質(zhì)量控制。
多種附加功能,如自動(dòng)控制恒溫器制冷、專(zhuān)用的PL硅材料QC軟件、標準建模樣品和第二個(gè)激 發(fā)激光。
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